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产物分类900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.3mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产物系列。
更新时间:2025-09-01
产物型号:骋贰厂罢滨狈-2罢贰-罢翱8-0300
浏览量:2326
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, 15 GHz 美国EOT 产物总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间:2025-01-22
产物型号:
浏览量:2161
900-2700nm 大光敏面InGaAs 铟镓砷光电二极管 φ2mm PL3000系列是一个全色PIN光电二极管,截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料,三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件,材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用,测量CO或者CO2,它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内,此外,我们可以读引脚改为TO-46,to-18,TO-5可选
更新时间:2025-08-11
产物型号:PLC-B-2000- W2.6- TO5
浏览量:2109
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间:2024-12-06
产物型号:
浏览量:1830
400-1100苍尘放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间:2025-11-10
产物型号:
浏览量:1968