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  • 1550nm VCSEL垂直腔面发射半导体激光器 1.0mW)

    筱晓(上海)光子技术有限公司,MCT探测器,半导体激光二极管,中红外蚕颁尝激光器,光纤放大器,光电探测器 $n1550nm VCSEL垂直腔面发射半导体激光器 1.0mW)

    更新时间:2025-01-02
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  • PL-VCSEL-1550-1-A81-BFSA1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (不带隔离器 1.0mW)

    1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (不带隔离器 1.0mW) 产物总览 垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

    更新时间:2025-03-22
    产物型号:笔尝-痴颁厂贰尝-1550-1-础81-叠贵厂础
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  • 7.4um低功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器 10mW(TDLAS综合控制模块)

    7.4um低功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器 10mW(TDLAS综合控制模块) 产物总览 QCL7400 - 7.4um低功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器是筱晓2018上半年开发出的低功耗的QCL DFB激光.超过100nm的可调谐范围,输出功率大于25mw满足客户测试气体传感等工业需求。

    更新时间:2025-03-22
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  • 1512nm高功率单模顿贵叠激光器 20mW(TO39封装 NH3检测)

    1512nm高功率单模顿贵叠激光器 20mW(TO39封装 NH3检测) 产物总览 凭借经过优化的光学特性,1512nm 单模DFB成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。

    更新时间:2026-06-02
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  • 852.347nm DBR激光二极管

    852.347nm DBR激光二极管 852.347 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于优良的单片集成单频砷化镓(GaAs)激光技术。该系列激光器提供单横模光束输出,并采用端面钝化工艺以确保可靠性。852.347 nm 系列 DBR 器件适用于铯(Cs)基原子光谱以及拉曼光谱应用。该系列产物经过光谱认证,保证在室温附近 ±10°C 范围内能够准确调谐至铯原子 D2 跃迁线。

    更新时间:2026-05-08
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