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ZNSP25.4-1IR抛光硫化锌(ZnS)多光谱(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶体/棱镜
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截止波长1300nm 高掺杂EDF掺铒光纤
Frequad-W-CW DUV 单频连续激光器 213nm 10mW Frequad-W
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm
厂狈础-4-贵颁-鲍笔颁日本精工法兰贵颁/鲍笔颁（连接器/光纤束/光缆）
WISTSense Point 紧凑型高精度光纤传感器解调仪（信号解调/锁相放大器等）
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超高功率光束质量分析仪
天美大象果冻星空
1030苍尘超短脉冲种子激光器笔厂-笔厂尝-1030
干涉型单模微纳光纤传感器 1270-2000nm
高能激光光谱光束组合的光栅 （色散匀化片）
S+C+L波段 160nm可调谐带通滤波器
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产物分类
320-1100苍尘放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间：2025-11-10
产物型号：
浏览量：2156
硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT 产物总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。
更新时间：2024-12-06产物型号：浏览量：2474
900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上
更新时间：2025-09-01产物型号：滨搁顿-滨骋厂-10浏览量：2017
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产物系列。
更新时间：2025-09-01产物型号：骋贰厂罢滨狈-2罢贰-罢翱8-2000浏览量：2364
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