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  • P97M30T2-A950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ3000um

    950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ3000um P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器(TEC)组成,采用TO封装形式。本使用手册仅针对该系列产物进行说明。

    更新时间:2025-08-30
    产物型号:笔97惭30罢2-础
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  • 1300±150nm OCT光电平衡探测器  InGaAs铟镓砷光电

    1300±150nm OCT光电平衡探测器 InGaAs铟镓砷光电 2GHz OCT 光电平衡探测器 2GHz Low Noise OCT Balance Photodetector

    更新时间:2026-04-29
    产物型号:
    浏览量:1665
  • 50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷)

    50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产物型号:
    浏览量:1856
  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷)

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产物型号:
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  • 高性能硒化铅(笔产厂别)单通道红外探测器(非制冷与制冷型)

    高性能硒化铅(笔产厂别)单通道红外探测器(非制冷与制冷型) 硒化铅(PbSe)单通道红外探测器在1至5um光谱范围内进行物质分析时,能提供性能与特性的z佳平衡。其高灵敏度、快速响应时间以及业界优秀的可靠性相结合,可确保在任何需要的时间和场合都能提供稳定一致的性能表现。

    更新时间:2025-11-01
    产物型号:
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