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砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流
更新时间：2024-12-06
产物型号：
浏览量：2254
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT 产物总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间：2025-01-22产物型号：浏览量：2064
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT PD
更新时间：2024-12-06产物型号：贰罢-5000-浏览量：2569
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT 产物总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。
更新时间：2025-01-22产物型号：浏览量：2645
6尘尘大光敏面(厂颈)硅光电探测器 器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
更新时间：2026-06-09产物型号：浏览量：2086
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