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产物分类
单光子探测器阵列厂笔础顿23 产物总览 技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。
更新时间：2024-12-09
产物型号：
浏览量：1600
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ3mm 产物总览 GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产物系列。
更新时间：2025-02-20产物型号：浏览量：2164
30 GHz 微波光子GaAs接收器（660-1100nm 超快光电探测器） 筱晓提供的GaAS超快光电探测器测量直流至 30GHz范围内的光波形。多款型号的上升时间短至 10ps，光谱覆盖范围为 660 至 1100 nm。 所有光电二极管均封装在紧凑坚固的铝制外壳中，可通过电池或外部电源供电。
更新时间：2026-03-30产物型号：浏览量：2166
UDT-455UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm Photop™系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。
更新时间：2025-02-28产物型号：鲍顿罢-455鲍痴-浏览量：2094
10mm Ge大光敏面探测器（BNC接口输出）（ 骋别锗光电二极管） 产物总览 锗光电二极管通常用于测量近红外范围内的光功率，尤其是在成本敏感型应用或需要大面积探测器的应用中。然而，与类似尺寸的 InGaAs 探测器相比，锗探测器的分流电阻较低，暗电流较高，导致整体噪声水平较高。
更新时间：2026-01-07产物型号：浏览量：1801
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