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产物分类
145骋贬锄光电探测器模块(单模光纤) 产物总览 该产物是为数据通信（ 1T/bs PAM），电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。
更新时间：2024-12-06
产物型号：
浏览量：1732
硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。
更新时间：2024-12-06产物型号：浏览量：1956
200um InGaAs APD Chip φ200um（铟镓砷） InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
更新时间：2025-10-29产物型号：浏览量：2651
光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um 器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
更新时间：2026-06-09产物型号：浏览量：2361
硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：2925
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